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Datasheet下载- 型号： BSB017N03LX3 G
- 制造商： Infineon
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BSB017N03LX3 G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSB017N03LX3 G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSB017N03LX3 G价格参考。InfineonBSB017N03LX3 G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 30V 32A (Ta), 147A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™。您可以下载BSB017N03LX3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSB017N03LX3 G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的BSB017N03LX3 G是一款N沟道功率MOSFET，属于FET中的MOSFET单管产品。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和优异的开关性能，适用于对功耗和空间要求较高的应用。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于DC-DC转换器、同步整流电源模块中，提升转换效率，降低发热，常见于笔记本电脑、通信设备和工业电源系统。 2. 电池供电设备：因其低损耗特性，适合用于便携式电子设备如移动电源、平板电脑和手持仪器中的电池保护与充放电控制电路。 3. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机驱动电路中作为开关元件，应用于电动工具、家用电器和自动化设备中。 4. 汽车电子：可用于车载电源系统、LED照明驱动或辅助电源模块，满足汽车级可靠性要求（尽管需确认具体工作温度范围是否符合AEC-Q标准）。 5. 负载开关与电源开关应用：在需要快速开启/关闭电源路径的场景中，如热插拔电路或电源多路复用系统中表现优异。 BSB017N03LX3 G采用PG-TSDS封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，适用于空间受限的设计。其30V的漏源电压和较高电流承载能力，使其在中低压功率应用中具备良好的性价比和稳定性。总体而言，该MOSFET适用于追求高效、节能和小型化的电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSB017N03LX3_G_rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a04b132c7abb |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BSB017N03LX3 G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7800pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 102nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.7 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | MG-WDSON-2，CanPAK M™ |
| 其它名称 | BSB017N03LX3 GCT |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-WDSON |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 32A （Ta）， 147A （Tc） |
